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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
35
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
35
読み出し速度、GB/s
12.3
16.8
書き込み速度、GB/秒
7.4
13.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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