RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
3049
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link