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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
42
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2348
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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