RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2348
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link