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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
42
Intorno 38% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
42
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2348
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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