Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

总分
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

总分
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 42
    左右 38% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13.5 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.7 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 42
  • 读取速度,GB/s
    12.3 left arrow 13.5
  • 写入速度,GB/s
    7.1 left arrow 8.7
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1952 left arrow 2348
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