Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Pontuação geral
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 42
    Por volta de 38% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.5 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.7 left arrow 7.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 42
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 13.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.1 left arrow 8.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1952 left arrow 2348
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