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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
42
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
2348
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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