Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Note globale
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    35 left arrow 60
    Autour de 42% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 6400
    Autour de 1.66% bande passante supérieure
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    5 left arrow 14.4
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    35 left arrow 60
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.4 left arrow 5,082.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2321 left arrow 925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons