Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    35 left arrow 60
    Wokół strony 42% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    10600 left arrow 6400
    Wokół strony 1.66% większa szerokość pasma
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    5 left arrow 14.4
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    35 left arrow 60
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.4 left arrow 5,082.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2321 left arrow 925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania