Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 60
    Por volta de 42% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 6400
    Por volta de 1.66% maior largura de banda
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    5 left arrow 14.4
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.4 left arrow 5,082.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.5 left arrow 2,381.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2321 left arrow 925
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações