Comparaison de la RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Note globale

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

1,643.2 1,433.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

6400 5300

Autour de 1.21% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

66 70

Autour de -6% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns