Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

1,643.2 1,433.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

6400 5300

Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

66 70

Wokół strony -6% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns