Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Puntuación global

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

1,643.2 1,433.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

66 70

En -6% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns