RAM-Vergleich Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,643.2 1,433.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

6400 5300

Rund um 1.21% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

66 70

Rund um -6% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

454 462

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns