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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
68
76
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,702.6
1,482.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
68
76
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
3,336.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
1,482.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
5300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
497
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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