RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
76
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,702.6
1,482.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
68
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
3,336.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
1,482.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
5300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
497
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link