Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    68 left arrow 76
    Wokół strony 11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    1,702.6 left arrow 1,482.6
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    68 left arrow 76
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,886.6 left arrow 3,336.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,702.6 left arrow 1,482.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    654 left arrow 497
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania