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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
68
76
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
1,702.6
1,482.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
68
76
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
3,336.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
1,482.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
5300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
497
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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