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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Note globale
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
7.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
8500
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2048
867
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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