RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2048
867
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link