SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 8500
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 46
    Rund um -28% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2048 left arrow 867
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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