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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51% 高帯域
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 46
    周辺 -28% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 7.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.3 left arrow 6.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2048 left arrow 867

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