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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
12.5
7.6
写入速度,GB/s
9.3
6.6
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
2048
867
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB RAM的比较
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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