SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 46
    Intorno -28% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 36
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.5 left arrow 7.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.3 left arrow 6.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2048 left arrow 867
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti