Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 78

Intorno 62% latenza inferiore

Motivi da considerare
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.1 11.2

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 8.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 14200

Intorno 1.35 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2458 2113

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns