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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
78
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14200
En 1.35 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
78
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14200
19200
Other
Descripción
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2458
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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