Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 78
    Около 62% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.1 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.3 left arrow 8.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 14200
    Около 1.35 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 78
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.2 left arrow 12.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.7 left arrow 10.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2458 left arrow 2113
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения