Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Pontuação geral
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 78
    Por volta de 62% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 11.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 8.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 14200
    Por volta de 1.35 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    30 left arrow 78
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.2 left arrow 12.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.7 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    14200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2458 left arrow 2113
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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