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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Pontuação geral
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
78
Por volta de 62% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14200
Por volta de 1.35 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
78
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
10.3
Largura de banda de memória, mbps
14200
19200
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2458
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB Comparações de RAM
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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