Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 78

Wokół strony 62% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

12.1 11.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.3 8.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 14200

Wokół strony 1.35 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C-RD 8GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2458 2113

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns