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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
62
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
34
Velocità di lettura, GB/s
7.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3606
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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