RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
77
Intorno -267% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
21
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3305
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link