RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3305
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link