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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
総合得点
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.1
8.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
5.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
28
読み出し速度、GB/s
8.8
11.1
書き込み速度、GB/秒
5.6
8.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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