Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Wokół strony -7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.1 left arrow 8.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 5.6
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    30 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    8.8 left arrow 11.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.6 left arrow 8.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1344 left arrow 1908
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania