Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 30

Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

11.1 8.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.0 5.6

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1344 1908

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns