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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
1908
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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