Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 30

Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.1 8.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.0 5.6

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1344 1908

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns