RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
1908
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6J1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link