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Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

総合得点
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Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

総合得点
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ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    70 left arrow 92
    周辺 24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,643.2 left arrow 1,220.6
    テスト平均値
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    70 left arrow 92
  • 読み出し速度、GB/s
    3,279.9 left arrow 2,032.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,643.2 left arrow 1,220.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    454 left arrow 289

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