RAM-Vergleich Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

70 92

Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,643.2 1,220.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

454 289

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns