Comparação RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

70 92

Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

1,643.2 1,220.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

454 289

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns