Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB vs ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Puntuación global

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

70 92

En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

1,643.2 1,220.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB

ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

454 289

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns