RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3321
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link