RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link