RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1985
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link