RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
73
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
73
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1712
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link