RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2699
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link