RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2699
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link