RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3573
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link