RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2999
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link