RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3211
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link