RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3146
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link